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    • 氧化銦錫(ITO)靶材
    • 氧化銦錫(ITO)靶材

    氧化銦錫(ITO)靶材

    氧化銦錫(ITO)靶材是一種常用于光電子器件和顯示器件制備的關(guān)鍵材料,具有優(yōu)良的透明性和導(dǎo)電性,可用于制備透明導(dǎo)電薄膜與透明電極,廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、觸摸屏、光電二極管以及太陽(yáng)能電池,有助于提高電池的光吸收和電能轉(zhuǎn)化效率。氧化銦錫(ITO)靶材以其高透明性和導(dǎo)電性能,在現(xiàn)代電子、光學(xué)和太陽(yáng)能領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,推動(dòng)了各種高性能電子器件的發(fā)展。

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    產(chǎn)品詳情

    品名

    氧化銦錫(ITO)靶材

    成分

    In2O3:SnO2 (90:10 ±0.5wt), 其他比例按照客戶要求

    外觀

    黑色或深灰色

    純度(%)

    ≥ 99.99%

    相對(duì)密度(%)

    ≥ 99.5%

    制造規(guī)格(mm)

    最大尺寸1200*300平面靶

    Φ135*Φ152-162*L400-1000mm圓筒靶

    電阻率(mΩ·cm)

    ≤1.8×10-4Ω·cm

    雜質(zhì)≤ (ppm)

    Fe

    Al

    Si

    Ni

    Cu

    Pb

    Cr

    Sum

    15

    10

    15

    5

    5

    5

    5

    100